A fusão de fusíveis de alta capacidade de interrupção é geralmente feita de cobre, mas também de prata. Quando a corrente nominal é pequena, o fundido é frequentemente transformado em um filamento; quando a corrente nominal é grande, ela é transformada em uma seção transversal variável. Uma vez que tanto o cobre quanto a prata são materiais metálicos de alto ponto de fusão, a fim de quebrar de forma confiável a corrente sob corrente de sobrecarga, os metais de baixo ponto de fusão, como ligas de estanho ou cádmio, são frequentemente soldados em um determinado intervalo da fusão para reduzir a temperatura de fusão. Este efeito também é chamado de efeito metalúrgico (efeito M). O fusível rápido no dispositivo para proteção de componentes semicondutores é basicamente o mesmo em estrutura que o fusível geral de alta capacidade de interrupção, mas não usa efeito metalúrgico e o fundido é feito de prata. Alta densidade de corrente para alcançar o efeito de quebra rápida.
O fundido é embalado em um tubo de porcelana (ou tubo de fibra de vidro) preenchido com areia de quartzo, e o fusível usa areia de quartzo como meio de extinção de arco. O tamanho da partícula da areia de quartzo tem grande influência no desempenho da extinção do arco, e o diâmetro da partícula é geralmente selecionado na faixa de 0.2-0.3mm. Quando a corrente de sobrecarga ou de curto-circuito passa pelo fusível, o material fundido se funde e um arco é gerado no tubo. Como a areia de quartzo tem um forte efeito de resfriamento e deionização no arco, o arco é rapidamente extinto. Ao interromper uma grande corrente de curto-circuito, o arco geralmente pode ser extinto antes que a corrente de curto-circuito atinja seu valor máximo. Em todo o processo de interrupção da corrente, não há fenômeno de som e luz, nenhum gás ionizado é ejetado e a capacidade de interrupção é alta. É amplamente utilizado em dispositivos internos de distribuição de energia de alta e baixa tensão e também é usado em eletrodomésticos. Além disso, fusíveis rápidos também são feitos para a proteção de dispositivos de dispositivos semicondutores.